第三帝国

第四百九十五章 晶体管研制成功

而至于晶体管的发明,最早可以追溯到1929年,当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。

但是,限于当时的技术水平,制造这种器件的材料达不到足够的纯度,而使这种晶体管无法制造出来。

在第二次世界大战期间,不少实验室在有关硅和锗材料的制造和理论研究方面,也取得了不少成绩,这就为晶体管的发明奠定了基础。

可以说,这些技术,都已经有了铺垫,只是需要用更多的财力物力人力,集中进行攻关。

其他的国家,或许还没有意识到晶体管带来的巨大意义,但是希瑞克是清楚的,在后世,没有微电子,寸步难行。

而且,希瑞克工科出身,对电子线路当然相当清楚,对晶体管中最常见的pn结,那也是相当熟知。

唯一需要的,就是利用这个时代的工业技术,将它做出来!

“嘎吱,”车停了下来。ge公司,已经到了。

这本来只是一个小公司而已,但是,在希瑞克的支持下,公司的规模,已经扩展了上百倍,现在的ge公司,是德国最重要的雷达研制和生产公司,也是保密部门。

比如,在大门口,就有盖世太保来守护。

希瑞克的车子,直接停到了大楼前,这是公司的研究所,此时,刚刚得到了消息的hollnn博士,三步并做两步地跑了出去。

他的文件,是三天前送上去的,他这种后方科研机构的文件,要排在军队的情报的后面,所以,等了几天,才被汇报上去。

当得知希瑞克来了的时候,他就无比的兴奋,看着希瑞克下车,他已经掩饰不住自己的激动:“伟大的元首,您真是个天才,我们按照您的设想,成功地制造了新的电子元件,这是一个伟大的发明!”

采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将p型半导体与n型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为pn结。

pn结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

此时的hollnn博士,喋喋不休地向着希瑞克诉说着:“我们按照您的设计方案,进行了很多次的尝试,最初都失败了,我们意识到了是自己的半导体材料的纯度不够,我们采用了新的真空冶炼设备,终于可以提纯足够高的锗,然后,实现了这个伟大的发明!”

半导体,最重要的就是材料的纯度,只有在真空中冶炼,才能够提纯。

这当然离不开高额的投资,否则,没有一个科研所有这种实力。

希瑞克点点头:“锗晶体管可以进行工业化生产,不断地提高技术,就可以降低成本,同时,硅半导体的晶体管,也要进行研制。”

现在,成本很高,但是希瑞克相信,很快就会降下来了,只要听说过摩尔定律,就知道电子产品的更新换代的速度了。

半导体材料有数种,但是适合做晶体管的,却只有两种,尤其是硅,集成电路,完全就是在硅片上做的。

“我们经过了研究,如果雷达大量采用晶体管的话,可靠性会提高一百倍左右。” hollnn博士将一个制好的晶体管,拿给希瑞克看,摆在手里,和花生豆差不多大小。

没有灯丝,没有栅极什么的,任何震动都不会影响到这种电子元件的工作,它的可靠性相当高。

(又犯错了,唠叨了一章,作为物理老师,真的很佩服晶体管的大门,现在大家用手机看书,都得感谢当初的晶体管之父啊!)

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